日本开发世界最高介电常数的纳米介电薄膜  

作　　者：杨晓婵（摘译） 

出　　处：《现代材料动态》2011年第11期2-2,共1页Information of Advanced Materials

摘　　要：日本物质材料研究机构国际纳米结构研究中心（MANA）开发出可随意调整化学成分及结构的分子级（厚度为lnm）氧化物纳米薄膜的精密掺杂技术。并将该技术应用于介电薄膜，使介电薄膜的性能可控，因而开发出介电常数为世界最高的钛铌氧化物纳米薄膜（介电常数为320）。这样就可使介电元件体积更小或容量更大。这一研究成果为下一代大容量电容器及存储器的开发开辟了新的方向。

关 键 词：日本物质材料研究机构 高介电常数 介电薄膜 纳米薄膜 开发 世界 大容量电容器 掺杂技术 

分 类 号：TQ174.758[化学工程—陶瓷工业]