惠普将联合Hynix在2013年制造忆阻器产品  

出　　处：《黑龙江科技信息》2011年第32期I0001-I0001,共1页Heilongjiang Science and Technology Information

摘　　要：惠普今天宣布将在2013年左右联合Hynix共同生产以忆阻器技术为基础的非易失性内存ReRAM产品，它带来了比闪存更为低功耗以及更高的性能。高级研究员R．Stanley Williams披露了这一消息，并称“数以百计的晶圆”已经诞生，最初版本将带来较慢的速度级别，可以取代手机上的闪存产品，之后还有更快的东西出现。

关 键 词：HYNIX 闪存产品 惠普 制造 非易失性 速度级别 低功耗 研究员 

分 类 号：TP334.7[自动化与计算机技术—计算机系统结构]