低温缓冲层对MBE生长ZnTe材料性能的改善  

Performance Improvement of ZnTe Material by MBE with Low-Temperature Buffer Layers

作　　者：张家奇[1] 赵杰[1] 刘超[1] 崔利杰[1] 曾一平[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所材料科学中心,北京100083

出　　处：《半导体技术》2012年第1期37-41,共5页Semiconductor Technology

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60876004)

摘　　要：研究了低温缓冲层对在GaAs(001)衬底上用分子束外延(MBE)生长ZnTe薄膜晶体质量的影响。发现插入低温缓冲层后ZnTe的结晶质量、表面形貌和发光质量都得到了显著的提高,双晶X射线摇摆曲线(DCXRC)的ZnTe(004)衍射峰半峰宽(FWHM)从529 arcsec减小到421 arcsec,表面均方根(RMS)粗糙度从6.05 nm下降到3.93 nm。而作为对比,插入高温缓冲层并不能对ZnTe薄膜的质量起到改善作用。基本上实现了优化工艺的目标并为研制ZnTe基光电器件微结构材料奠定了很好的实验基础。The effects buffer layers by molecular crystalline quality, surface of ZnTe thin films grown on GaAs （001） substrates with low-temperature beam epitaxy （MBE） were analyzed. It has a lot of improvement to morphology and luminous quality of the ZnTe thin films after using low- temperature buffer layers. The full-width at half-maximum （FWHM） of double-crystal X-ray rocking curve （DCXRD） for ZnTe （004） reflection decreases from 529 arcsec （without buffer layers） to 421 arcsec （with low temperature buffer layers）, and the root-mean-square （RMS） roughness diminishes from 6.05 nm to 3.93 nm. However, high crystal quality ZnTe heteroepitaxy cannot be achieved by inserting a thin buffer layer at high temperature. Optimization of ZnTe growth on GaAs （001） by MBE was basically achieved, and a good experimental foundation is laid for microstructure materials of ZnTe based optoelectronic devices.

关 键 词：碲化锌 异质外延 低温缓冲层 高温缓冲层 分子束外延 

分 类 号：TN304.25[电子电信—物理电子学]