高功率微波上升沿等效脉宽研究  

Equivalent Impulse Width of High Power Microwave Rising Edge

作　　者：邓朝平[1] 侯德亭[1] 夏蔚[2] 王利萍[2] 

机构地区：[1]信息工程大学理学院,河南郑州450001 [2]信息工程大学信息工程学院,河南郑州450002

出　　处：《信息工程大学学报》2011年第6期694-697,768,共4页Journal of Information Engineering University

基　　金：科研基金资助项目

摘　　要：为解决高功率微波脉冲测量时按常规读数结果不精确的问题,提出了高功率微波上升沿等效脉宽,利用数据插值方法,拟合出了高功率微波脉冲上升沿。根据拟合得到的上升沿模型,仿真计算出了不同峰值场强和不同压强下的高功率微波上升沿等效脉宽,分析了等效脉宽与场强及压强的关系,比较了等效脉宽与由常规读数得到的脉宽之间的误差。With the popularity of multimedia applications,more and more processors are integrated with SIMD extensions.How to bring SIMD extensions to full use becomes one of the challenges for modern compilers.This paper first analyses conventional vectorization technology from the perspective of set,and then discusses whether a loop can be vectorized based on data dependence analysis,and how to generate optimized SIMD code according to the target system.The tests conducted with the SPEC2000 benchmark suite illustrate that this approach can vectorize scientific applications more efficiently.

关 键 词：上升沿 插值 等效脉宽 电离频率 

分 类 号：TN011[电子电信—物理电子学]