Effect of Depletion Layer on the Total Mobility of AIGaN/GaN High Electron Mobility Transistors  

作　　者：Rajab Yahyazadeh Zahra Hashempour 

机构地区：[1]Department of Physics, Islamic Azad University, Khoy branch, Khoy 58135/175, Iran

出　　处：《材料科学与工程（中英文B版）》2011年第6期790-795,共6页Journal of Materials Science and Engineering B

关 键 词：高电子迁移率晶体管 耗尽层 流动 GaN 二维电子气密度 数值模型 泊松方程 实验数据 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学] TG456[金属学及工艺—焊接]