一种高速只读存储器拓扑结构的设计  

Design of Topology of a High-Speed ROM

作　　者：陈奕含[1] 罗前[1] 陈志钧[1] 罗小勇[1] 李平[1] 

机构地区：[1]电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054

出　　处：《微电子学》2012年第1期46-49,共4页Microelectronics

基　　金：电子薄膜与集成器件国家重点实验室创新基金资助项目(CXJJ200905)

摘　　要：随着只读存储器密度越来越大,对读取速度的要求越来越高,位线大电容逐渐成为影响只读存储器读取速度的关键问题。设计了一种存储器拓扑结构,这种结构通过改变存储单元读取点的位置,能有效避免位线大电容充放电对读取速度的不利影响,极大地缩短了读取周期,提高了只读存储器的读取速度。该拓扑结构的优势在TSMC 0.13μm工艺仿真库里得到验证。With increasing density of read-only memories（ROM） and high speed demand for read-out process,large bit-line capacitance is becoming critical for ROM to achieve high-speed.A topology of read-only memory was designed,which could avoid negative effects of the large capacitance on read-out speed by adjusting read point of the memory cell,thus significantly reducing the reading cycle of the sense amplifier,and improving reading speed of read-only memory.The proposed topology was validated by simulations based on TSMC 0.13 μm model.

关 键 词：只读存储器 位线电容 拓扑结构 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]