陈志钧

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供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文主题：产生电路拓扑结构电容只读存储器更多>>
发文领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
发文期刊：《电子元器件应用》《微电子学》更多>>
所获基金：电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金更多>>
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一种高速只读存储器拓扑结构的设计
《微电子学》2012年第1期46-49,共4页陈奕含 罗前 陈志钧 罗小勇 李平 
电子薄膜与集成器件国家重点实验室创新基金资助项目(CXJJ200905)
随着只读存储器密度越来越大,对读取速度的要求越来越高,位线大电容逐渐成为影响只读存储器读取速度的关键问题。设计了一种存储器拓扑结构,这种结构通过改变存储单元读取点的位置,能有效避免位线大电容充放电对读取速度的不利影响,极...
关键词：只读存储器 位线电容 拓扑结构 
一种OTP存储器片上时序信号产生电路的设计
《电子元器件应用》2011年第12期43-45,48,共4页袁蕊林 陈志钧 张颉夫 陈奕含 
设计了一种用于OTP存储器的片上时序信号产生电路。由地址变化探测电路和脉冲宽度调整电路组成。地址变化检测电路检测地址信号的变化,再由脉冲宽度调整电路产生一个宽度适中的时序信号,用于内部时序控制。其具有时序信号宽度可控,电路...
关键词：一次可编程 片上时序 地址变化探测 脉冲宽度调整 
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