掺杂技术对阻变存储器电学性能的改进  

作　　者：王艳[1,2] 刘琦[2] 吕杭炳[2] 龙世兵[2] 王慰[2] 李颖弢[1,2] 张森[2] 连文泰[2] 杨建红[1] 刘明[2] 

机构地区：[1]兰州大学物理科学与技术学院,兰州730000 [2]中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术研究室,北京100029

出　　处：《科学通报》2012年第5期314-319,共6页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家重点基础研究发展计划(2010CB934200;2008CB925002);国家自然科学基金(60825403;50972160);国家高技术研究发展计划(2008AA031403;2009AA03Z306)资助

摘　　要：本文总结和分析了掺杂技术对阻变存储器性能的改善.实验上,以Cu/ZrO2/Pt器件为基础,分别使用Ti离子、Cu,Cu纳米晶对器件进行掺杂.将掺杂过的器件与未掺杂的器件进行对比,发现掺杂的作用集中在四点:消除电形成过程、降低操作电压、提升电学参数的均一性和提高器件良率.除此之外,使用掺杂还可以提升器件高阻态的稳定性和保持特性.结果表明,掺杂技术是优化RRAM电学性能的有效方法.

关 键 词：非易失性存储器 阻变存储器(RRAM) 掺杂技术 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]