电极距离和取向对硼掺杂带帽碳纳米管分子结中负微分电阻的影响  

作　　者：赵朋[1] 刘德胜[2] 梁伟[1] 

机构地区：[1]济南大学物理科学与技术学院,济南250022 [2]山东大学物理学院,晶体材料国家重点实验室,济南250100

出　　处：《科学通报》2012年第5期320-323,共4页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金(11104115,11074146);山东省自然科学基金(ZR2009AL004);济南大学博士基金(XBS1004);中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室开放课题(KLSMS-0908)资助

摘　　要：利用非平衡格林函数和第一性密度泛函理论,研究了电极距离和相对取向对硼掺杂带帽碳纳米管分子结中负微分电阻行为的影响.结果显示,负微分电阻行为强烈依赖于电极距离和相对取向.当电极距离为0.35nm且体系的对称性最高时,可以产生最好的负微分电阻行为.

关 键 词：碳纳米管 负微分电阻 非平衡格林函数 密度泛函理论 

分 类 号：O561[理学—原子与分子物理]