0.18μm工艺小规模嵌入式EEPROM存储阵列单Block电路  

0.18 μm Single Block Circuit in Small-scale Embedded EEPROM Array

作　　者：程兆贤[1] 张小兴[1] 戴宇杰[1] 吕英杰[1] 陈力颖[1] 

机构地区：[1]南开大学微电子研究所,天津300457

出　　处：《南开大学学报（自然科学版）》2011年第6期11-13,共3页Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Nankaiensis

基　　金：天津市科技发展计划项目(09ZCKFGX00900)

摘　　要：介绍了一种EEPROM存储阵列单Block电路,可以降低RFID TAG存储阵列电路的漏电流.采用EEPROM嵌入式0.18μm工艺,工作电压1.8 V.改进后的电路每个存储单元可以降低最大8μA的漏电流.A new block circuit for embedded EEPROM is presented,which can reduce leakage circuit of memory efficiently in a short-range passive RFID tag.The fabrication technology is the 0.18 μm four-metal two-poly mixed signal CMOS process with embedded EEPROM.The proposed circuit can reduce maximum to 8 μA per bit cell.

关 键 词：RFID EEPROM 阵列 漏电流 

分 类 号：TN492[电子电信—微电子学与固体电子学]