透明导电ZnO:Sn薄膜光学和电学性能的研究进展  

Recent Advances of Optical and Electrical Properties of Transparent Conductive ZnO:Sn Films

作　　者：谌夏[1] 方亮[2] 吴芳[2] 阮海波[2] 魏文猴[2] 黄秋柳[2] 

机构地区：[1]重庆理工大学材料科学与工程学院,重庆400054 [2]重庆大学应用物理系,重庆401331

出　　处：《半导体光电》2012年第1期1-6,共6页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家自然科学基金项目(NCFC11074314;50942001);重庆大学研究生创新基金项目(CDJXS10102207);重庆大学"211工程"三期创新人才培养计划建设项目(S-09109);重庆大学大型仪器设备开放基金项目(2010063072;2010121556)

摘　　要：纯ZnO电阻率高,电学性能不稳定,通过掺杂其他元素提高其光电性能,制备出高质量的ZnO薄膜是实现其应用的关键。文章从制备方法、掺杂浓度和退火等方面综述了Sn掺杂ZnO(ZnO:Sn)薄膜光电性能的研究进展,提出了降低ZnO:Sn薄膜电阻率和提高透光率的有效途径。Pure ZnO film exhibits high resistivity,electrical properties performance instability,thereby,how to enhance its electrical and optical properties by doping is a key for its application.In the paper,the recent progress of the studies on Sn-doped ZnO（ZnO：Sn） thin films based on the factors such as the prepreparation methods,doped concentration,growth conditions and annealing to affect the opto-electrical properties of the films are summarized.The ways to decrease the resistivity and enhance the transmittance of ZnO：Sn thin film are put forward.

关 键 词：宽禁带半导体材料 ZnO:Sn薄膜 光学性质 电学性质 

分 类 号：O484.47[理学—固体物理]