我国科学家在磁电阻领域取得重大突破  

出　　处：《现代材料动态》2012年第4期21-21,共1页Information of Advanced Materials

摘　　要：清华大学材料科学与工程系章晓中教授在2011年9月15日出版的《Nature》上发表了有关硅基磁电阻研究的论文《硅的低场磁电阻的几何增强》（Geometrical enhancemen to flow—field magnetoresistance in silicon，Nature477，304—307（2011）），这也是中国首次以第一单位在Nature／Science杂志上刊登磁电阻领域的研究成果，是该领域中的一个重大突破。

关 键 词：低场磁电阻 科学家 《NATURE》 材料科学与工程 SILICON 清华大学 FLOW 研究成果 

分 类 号：TN911.7[电子电信—通信与信息系统]