热处理温度对ZnO薄膜结构特性的影响  

作　　者：陈薇薇[1] 刘志学[1] 张冰[1] 

机构地区：[1]牡丹江师范学院黑龙江省新型碳基功能与超硬材料重点实验室,黑龙江牡丹江157012

出　　处：《牡丹江师范学院学报（自然科学版）》2012年第1期13-14,共2页Journal of Mudanjiang Normal University：Natural Sciences Edition

基　　金：牡丹江师范学院研究生学术科技创新项目(yjsxscx 2011-05mdjnu);牡丹江师范学院科研项目

摘　　要：采用射频磁控溅射法在玻璃基底上制备出具有c轴择优取向的ZnO透明导电薄膜,利用X射线衍射仪、隧道扫描显微镜、紫外-可见分光光度计、霍尔效应仪等仪器分析退火温度对ZnO薄膜的表面形貌、光电性能的影响.结果表明,随着退火温度的升高,薄膜的结晶质量提高,晶粒尺寸变大,薄膜的致密性提高,薄膜在可见光范围的平均透射率达到80%以上,并且电学性能有所提高.

关 键 词：磁控溅射 ZNO 退火温度 

分 类 号：O572.242[理学—粒子物理与原子核物理]