新型存储材料BIT铁电薄膜B位双掺杂初探  

Study of New Memory Materials of B Site Cosubstituted BIT Ferroelectric Films

作　　者：胡增顺[1] 晋玉星[1] 杨桦[2] 

机构地区：[1]开封大学公共计算机教研部,河南开封475004 [2]开封大学软件职业技术学院,河南开封475004

出　　处：《开封大学学报》2012年第1期73-76,共4页Journal of Kaifeng University

基　　金：河南省教育厅自然科学研究计划项目(2011C430002)

摘　　要：利用化学溶液沉积法,在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上和700°C条件下分别制备了Nd和(Al,Sc)共掺杂的钛酸铋薄膜(Bi3.15Nd0.85)(Ti3-x(Alx,Scx))O12[记做BNT(Al(x),Sc(x))](x=0.015,0.030,0.045,0.060),并进行了这一系列薄膜的微结构、表面形貌、铁电等特性的研究.发现当掺杂含量为x=0.030时,薄膜具有较高的剩余极化强度(2 Pr=24.80μC/cm2).讨论了相关的物理机制.A series of Nd and （ Al, Sc ） eosubstituted bismuth titanate films of （ Bi3.15 Nd0.85 ） （ Ti3-X （ Alx, Sex） ） O12 { BNT{ AI（ x} ,Sc（x） ） { x =0.015,0. 030,0. 045,0.060} have been prepared on Pt/Ti/SiO2/Si（ 100） substrates at 700℃ by a chemical solution deposition technique, respectively. The structural evolution and ferroelectric properties of the as-deposited films were sys- tematically investigated as a function of （ Al, Sc ） composition x. It was found that an optimized （ Al, Sc ） content,x = 0. 030, can greatly enhance the remnant polarization （ 2Pr = 24. 80μC/cm2 ） . The relevant physical mechanisms were discussed.

关 键 词：铁电薄膜 共掺杂 BNT(Al(X) Sc(x)) 化学溶液沉积法 

分 类 号：TB34[一般工业技术—材料科学与工程]