亚微米集成电路的ESD保护设计  

Design of ESD Protection for Submicron Integrated Circuits

作　　者：袁博鲁 万天才 

机构地区：[1]重庆西南集成电路设计公司,重庆400060

出　　处：《微电子学》2012年第2期206-209,共4页Microelectronics

摘　　要：介绍了一种带ESD瞬态检测的VDD-VSS之间的电压箝位结构,归纳了在设计全芯片ESD保护结构时需要注意的关键点;提出了一种亚微米集成电路全芯片ESD保护的设计方案,从实例中验证了亚微米集成电路的全芯片ESD保护设计。A VDD-VSS voltage clamping structure with transient ESD detection was presented.Key points for designing all-chip ESD protection structure were summarized.A scheme to design an all-chip ESD protection circuit for submicron IC＇s was proposed.An example was given to validate the design.

关 键 词：亚微米集成电路 ESD保护 电压箝位 

分 类 号：TN406[电子电信—微电子学与固体电子学]