InGaAsP/InP超辐射集成光源  

InGaAsP/InP Integrated Superluminescent Light Source

作　　者：刘杨[1] 刘琨[1] 宋俊峰[1] 殷景志[1] 康博南[1] 姜秀英[1] 杜国同[1] 

机构地区：[1]吉林大学电子工程系,集成光电子学国家重点联合实验室,长春130023

出　　处：《中国激光》2000年第5期397-400,共4页Chinese Journal of Lasers

基　　金：国家"8 6 3"高技术计划;国家自然科学基金!(6 97770 0 5);教育部博士点基金资助项目

摘　　要：为提高半导体超辐射器件的输出功率 ,采用直接耦合的方法 ,将超辐射发光管 (SL D)与半导体光放大器 (SOA)单片集成 ,制得了 1.3μm超辐射集成光源 ,其脉冲输出功率为 50 m W,光谱宽度 (FWHM)为 2 8.9nm。通过对放大器增益特性的讨论 ,得出了既能稳定器件性能 ,又可以提高输出功率的有效工作方案。In order to increase the optical output power of semiconductor superluminescent devices, a direct coupling method has been used to monolithically integrate the superluminescent diode (SLD) with a semiconductor optical amplifier (SOA). By this means, a 1.3 μm InGaAsP/InP integrated superluminescent light sources have been fabricated. 50 mW superluminescent output power is obtained in pulsed condition. The spectral width at full width at half maximum (FWHM) is 28.9 nm, the optical gain of SOA is about 19 dB.

关 键 词：超辐射发光管 半导体光放大器 超辐射集成光源 

分 类 号：TN256[电子电信—物理电子学]