铁电存储器技术  

FRAM Technique

作　　者：黄寅 徐子亮[1] 

机构地区：[1]上海交通大学微电子技术研究所,上海200030

出　　处：《半导体技术》2000年第3期1-4,共4页Semiconductor Technology

摘　　要：详细论述了铁电存储器 (FRAM)的工作原理、发展过程、技术特性、理论和技术及实际生产中的限制 ,分析了 FRAM的优势及弱点 ,认为 1G位的 FRAM可望在五年内实现。FRAMs operation principle,development course,technique characteristic,limitations of theory, technology and practical manufacture process are discussed,and FRAMs advantages and disadvantages are analyzed also.It is considered that 1Gbit FRAM will be realized in five years.

关 键 词：铁电存储器 非易失性存储器 工作原理 

分 类 号：TP333.8[自动化与计算机技术—计算机系统结构]