基于Z参数的微波晶体管高频噪声网络分析方法  

Network Analysis of High Frequency Noise of Microwave Bipolar Transistors Based on Z Parameters

作　　者：钱伟[1] 张进书 贾宏勇[1] 林惠旺[1] 钱佩信[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子所,北京100084

出　　处：《Journal of Semiconductors》2000年第6期602-607,共6页半导体学报（英文版）

摘　　要：利用 Z参数噪声网络等效电路的分析方法 ,得到了用器件 Z参数表示的微波双极晶体管噪声参数的表达式 ,通过对微波低噪声双极晶体管的高频参数进行测试和分析 ,并把器件的网络参数和物理参数相结合 ,来对器件的最小噪声系数进行计算和分析 .The expression of the minimun noise figure for microwave bipolar transistors is presented by using Z parameters analysis. The noise characteristics of the transistors are studied by the microwave measurement and analysis of physics and network parameters.

关 键 词：微波晶体管 双极晶体管高频 噪声 网络分析 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]