基于激光-微波双辐射源少子寿命的测定装置  

Lifetime Measurement of Minority Carriers Based on Laser-microwave Radiation Source

作　　者：何璇[1] 陈长缨[1] 洪岳[1] 张浩[1] 

机构地区：[1]暨南大学光电工程系。广东省高等学校光电信息与传感技术重点实验室,广州510632

出　　处：《半导体光电》2012年第2期218-220,共3页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(暨)(11609506)

摘　　要：单晶硅材料中光生少数载流子寿命是太阳电池设计及生产过程中需要考虑的一个重要参数。基于微波光电导法的测量原理,从单晶硅材料中的电导率和少数载流子浓度的关系着手,提出了一种基于激光-微波双辐射源的硅材料非平衡少数载流子寿命测量系统,实现了对其寿命的初步测量。实验表明,该设计方案具有可行性。Lifetime of minority carriers in monocrystalline silicon materials is a key parameter in solar cell design and manufacture.Based on the theories of microwave photoconductivity decay（μ-PCD）,and by analyzing the relationship of conductivity and minority carrier concentration,a system for measuring the minority carrier lifetime in Si material is established based on laser-microwave radiation sources.Experiments prove the feasibility of the new designed system.

关 键 词：硅 激光 微波 光电导 少数载流子寿命 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]