Ti推出面向高密度开关电源设计的高速单通道栅极驱动器  

出　　处：《电源技术应用》2012年第5期I0005-I0006,共2页Power Supply Technologles and Applications

摘　　要：日前，德州仪器（TI）宣布推出首批具有业界领先速度及驱动电流性能的4A/8A与4A/4A单通道低侧栅极驱动哭，其可最大限度减少MOSFET、IGBT电源器件以及诸如氮化镓（GaN）器件等宽带隙半导体的开关损耗。

关 键 词：栅极驱动器 开关电源设计 单通道 高密度 TI MOSFET 宽带隙半导体 电源器件 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]