精神分裂症患者不同工作记忆范式的事件相关电位研究进展  

作　　者：孙婷婷[1] 费召辉[1] 罗英姿[1] 王湘[1] 

机构地区：[1]中南大学湘雅二医院医学心理研究所,长沙410011

出　　处：《国际精神病学杂志》2012年第2期94-97,共4页Journal Of International Psychiatry

基　　金：国家自然科学基金(30700236);教育部高校博士点基金(20070533067);湖南省科技厅科技计划项目(2010SK3123);中南大学人文社科杰青专项资助(2011RWSK013);美国中华医学会专项(CMB09-991)

摘　　要：工作记忆缺陷是精神分裂症患者的核心症状之一,文章基于Baddeley的多成分模型对不同范式下精神分裂症工作记忆的事件相关电位(even-related potential)研究进行回顾,综合分析了工作记忆的典型ERP效应以期对后来的研究有所裨益。

关 键 词：精神分裂症 事件相关电位(ERP) 工作记忆 

分 类 号：R749.3[医药卫生—神经病学与精神病学]