InGaAs/InAlAs RTD I-V特性的量子力学隧穿模拟  

Current-voltage characteristics of InGaAs/InAlAs RTD via quantum mechanical tunneling

作　　者：何红波[1] 周继承[1] 胡慧芳 李义兵[1] 

机构地区：[1]长沙铁道学院信息学院材料研究所,410075

出　　处：《半导体杂志》2000年第1期31-34,共4页

基　　金：国家自然科学基金(69771011，69890227);霍英东基金资助

摘　　要：本文通过数值求解含时Schrodinger方程得到了InGaAs/InAlAs共振隧穿二极管 (RTD)的电流 偏压曲线 ,我们发现数值模拟的结果与实验符合得很好。The current voltage(I V) characteristics for InGaAs/InAlAs RTD are computed numerically by solving the time dependent Schrodinger equation. The results are good agreement with the experiment.

关 键 词：共振隧穿二极管 含时Schrodinger方程 波包 

分 类 号：TN304.26[电子电信—物理电子学]