用射频辉光放电制备高电导非掺μc—SiO：H薄膜  

作　　者：未休 

出　　处：《电子材料快报》2000年第3期5-5,共1页

关 键 词：射频辉光放电 高电导 微晶硅薄膜 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]