在Si（100）基片上生长超薄3C—SiC外延层  

作　　者：仪仡 

出　　处：《电子材料快报》2000年第3期11-12,共2页

关 键 词：硅基片 生长 碳化硅 外延层 生长 

分 类 号：TN304.24[电子电信—物理电子学]