低压、低功耗SOI电路的进展  

Low Voltage/Low Power SOI Circuits

作　　者：多新中 张苗 符晓荣 王连卫 林成鲁[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,200050

出　　处：《固体电子学研究与进展》2000年第1期15-21,共7页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金!(项目编号 1 97750 62 );上海市青年科技启明星计划 !( 98QE1 4 0 2 8)

摘　　要：最近 IBM公司在利用 SOI(Silicon- on- insulator)技术制作计算机中央处理器 (CPU)方面取得了突破性的进展 ,该消息轰动了全世界。SOI电路最突出的优点是能够实现低驱动电压、低功耗。文中介绍了市场对低压、低功耗电路的需求 ,分析了 SOI低压、低功耗电路的工作原理 ,综述了当前国际上 SOI低压、低功耗电路的发展现状。Recently, a great breakthrough has been made by IBM in CPU manufacture using SOI technology, which shocked the whole world. The most prominent advantage of SOI circuits is its ability to realize low voltage/low power. In this paper, we introduce the demand of market for low voltage/low power electronics and the principle of SOI low voltage/low power circuits. The present state of SOI low voltage/low power electronics is discussed as well.

关 键 词：绝缘层上硅 低功耗电路 集成电路 低压电路 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]