长波长超辐射集成光源  

Long Wavelength Integrated Superluminescent Light Source

作　　者：刘杨[1] 刘琨[1] 宋俊峰[1] 殷景志[1] 康博南[1] 杜国同[1] 

机构地区：[1]吉林大学电子工程系和集成光电子学国家重点联合实验室,长春130023

出　　处：《光电子．激光》2000年第1期26-28,共3页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：国家"八六三"计划资助项目;国家自然科学基金资助项目 !( 697770 0 5 );教育部博士点基金资助项目

摘　　要：为适应光谱分割技术的需求 ,我们采用 In Ga As P/ In P单量子阱外延片 ,用直接耦合的方法将超辐射发光管与半导体光放大器单片集成 ,制得了 1.3μm长波长超辐射集成光源 ,取得了初步的实验结果 ,验证了这种长波长集成器件的可行性。脉冲输出功率与传统长波长超辐射发光管相比有很大的提高。半导体光放大器的增益达到 19d B。WT5”BZ]:For the application of spectrum slicing,a direct coupling method had been used to integrate,monolithically,the superluminescent diode (SLD) with a semiconductor optical amplifier (SOA).By this means,a 1.3 μm InGaAsP/InP SQW Integrated Superluminescent Light Source had been fabricated.We have achieved relative high power,which conventional long wavelength SLD could not reach.The optical gain of SOA is about 19 dB. [WT5”HZ]

关 键 词：超辐射发光管 半导体光放大器 光源 光波复用 

分 类 号：TN15[电子电信—物理电子学]