具有快速开关和低V_(CESAT)的1200V碳化硅双极性晶体管  

1200 V Silicon Carbide Bipolar Junction Transistors with Fast Switching and Low VCESAT

作　　者：Martin Domeij 

机构地区：[1]飞兆半导体

出　　处：《世界电子元器件》2012年第6期40-41,共2页Global Electronics China

摘　　要：由于能源成本上升和人们积极应对全球变暖,电力电子设备的能源效率已经变得越来越重要。为了提升电力电子设备的能源效率,具有较低功率损耗的功率半导体器件技术是关键所在。在半导体器件中,功率损耗的降低可以改善系统效率,并带来直接的能源节省。降低的低功率损耗同样是有益的,可以减小系统体积,并增加像在混合动力及电动汽车领域的市场渗透。

关 键 词：双极性晶体管 快速开关 碳化硅 电力电子设备 低功率损耗 能源效率 功率半导体 半导体器件 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]