VMOS场效应管音频功率放大器设计  

Design of Power VMOS FET Audio Amplifier

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作  者:宋小威 

机构地区:[1]锐丰音响科技股份有限公司,广东广州511447

出  处:《电声技术》2012年第6期26-31,66,共7页Audio Engineering

摘  要:介绍了VMOS功率场效应管的特性和普通双极性晶体管的设计差异,讨论了VMOS功率放大电路的设计理念,并分别说明了各级放大器设计的思想。The design differences between power VMOS FET properties and ordinary dual polarity transistor are intro- duced. The design idea of VMOS power amplifier circuit is discussed and the ideas of amplifier design at all levels are ex- plained.

关 键 词:VMOS功率场效应管 瞬态互调失真 负反馈 G类功率放大器 

分 类 号:TN72[电子电信—电路与系统]

 

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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相关期刊文献:

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