In团簇对InN光致发光特性的影响  

The impact of indium clusters on the photoluminescence of InN

作　　者：杨远玲[1] 朱学亮[2] 

机构地区：[1]山东师范大学附属中学,山东济南250014 [2]中国科学院物理研究所,北京100190

出　　处：《山东科学》2012年第3期54-57,共4页Shandong Science

摘　　要：通过光致发光方法研究了氮化铟(InN)材料的发光特性。实验发现,随着温度的变化,不同结构的InN样品的发光峰位置展现了不同的行为。在具有In团簇结构的样品中,其发光峰位置显示了反常的蓝移现象。这种发光峰能量的反常变化是由In团簇周围的界面态引起的。We investigated the optical properties of InN films by photoluminescence. Experiments show that InN with different crystal structure exhibits different photoluminescence peaks at different temperature. The photoluminescence peaks show abnormal blue-shift phenomenon for the InN sample with indium clusters. The phenomenon is caused by the interface state between the InN and Indium clusters.

关 键 词：光致发光 跃迁 X射线衍射 氮化铟(InN) 

分 类 号：O472.3[理学—半导体物理]