管式PECVD工艺对氮化硅薄膜折射率的影响  

Impact of tube PECVD process on the refracitve index of silicon nitride thin film

作　　者：任现坤 马玉英[2] 张黎明 刘鹏 姜言森 徐振华 贾河顺 程亮 张春艳 

机构地区：[1]山东力诺太阳能电力股份有限公司,山东济南250103 [2]山东凯文科技职业学院,山东济南250200

出　　处：《山东科学》2012年第3期58-61,79,共5页Shandong Science

基　　金：国家高技术研究与发展计划(863计划)重点项目(2012AA050303;2011AA050504);山东省自主创新成果项目(2010ZHZX1A0702;2011ZHZX1A0701)

摘　　要：折射率是反映薄膜成分以及致密性的重要指标,是检验薄膜制备质量的重要参数,其变化直接影响太阳能电池的转化效率。本文研究了不同射频功率、腔体压强、衬底温度以及硅烷和氨气配比等沉积条件对在太阳能电池上沉积的氮化硅薄膜折射率的影响,分析了氮化硅薄膜折射率随各沉积条件变化的原因。Refraction index is an important parameter reflecting film composition and density. It also reflects preparation quality of thin film, which directly affects the transformation efficiency of a solar cell. This paper investigated the impact of radio frequency power, chamber pressure, substrate temperature and the ratio of saline and ammonia on the refraction index of silicon nitride thin film deposited on a c-Si solar cell. We analyze the reason that refractive index of azotized silicon thin film changes with different deposition conditions.

关 键 词：折射率 致密性 转化效率 氮化硅 等离子增强型化学气相沉积(PECVD) 

分 类 号：O484.41[理学—固体物理]