提高非晶硅/微晶硅叠层太阳电池光稳定性的研究  

Improving the light-soaking stability of a-Si:H/μc-Si:H tandem solar cells

作　　者：侯国付[1] 卢鹏[1] 韩晓艳[1] 李贵君[1] 魏长春[1] 耿新华[1] 赵颖[1] 

机构地区：[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071

出　　处：《物理学报》2012年第13期500-504,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CBA00705;2011CBA00706;2011CBA00707);国家高技术研究发展规划(批准号:20011AA050503);国家自然科学基金(批准号:61176060);天津市自然科学基金重点项目(批准号:12JCZDJC28300);江苏省微纳生物医疗器械设计与制造重点实验室开放基金(批准号:JSNB1201001)资助的课题~~

摘　　要：如何提高硅基薄膜太阳电池的光稳定性是硅基薄膜太阳电池研究和产业化过程中非常重要的问题.为了提高非晶硅/微晶硅叠层电池的光稳定性,本文首先给出了良好光稳定性非晶硅项电池的结果,然后重点研究了N/P隧穿结和微晶硅底电池本征层硅烷浓度梯度对叠层电池光稳定性的影响.经过初步优化,连续光照1000 h后非晶硅/微晶硅叠层电池的最小光致衰退率只有7%.Improving the light-soaking stability of silicon-based thin film solar cells is a very important issue for industrial production. In order to obtain high-efficiency a-Si：H/μc-Si：H tandem solar cells with good light-soaking stability, In this paper we first present the results about a-Si：H top solar ceU with high light-soakittg stability. Then we mainly investigate the influences of N/P tunnel junction and silane concentration （SC） profiling of c-Si：H i-layer on the light-soaking stability of a-Si：H/μc-Si：H tandem solar cells. Up to now we have been able to obtain a-Si：H/μc-Si：H tandem solar cell with a light-soaking degradation ratio of only 7%.

关 键 词：光致稳定性 非晶硅/微晶硅叠层太阳电池 硅烷浓度梯度 隧穿结 

分 类 号：TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动]