李贵君

作品数：6被引量：12H指数：2
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供职机构：南开大学更多>>
发文主题：微晶硅薄膜非晶硅电池太阳电池VHF-PECVD更多>>
发文领域：电气工程理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《光电子．激光》《物理学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目天津市自然科学基金更多>>
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提高非晶硅/微晶硅叠层太阳电池光稳定性的研究被引量：6
《物理学报》2012年第13期500-504,共5页侯国付 卢鹏 韩晓艳 李贵君 魏长春 耿新华 赵颖 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CBA00705;2011CBA00706;2011CBA00707);国家高技术研究发展规划(批准号:20011AA050503);国家自然科学基金(批准号:61176060);天津市自然科学基金重点项目(批准号:12JCZDJC28300);江苏省微纳生物医疗器械设计与制造重点实验室开放基金(批准号:JSNB1201001)资助的课题~~
如何提高硅基薄膜太阳电池的光稳定性是硅基薄膜太阳电池研究和产业化过程中非常重要的问题.为了提高非晶硅/微晶硅叠层电池的光稳定性,本文首先给出了良好光稳定性非晶硅项电池的结果,然后重点研究了N/P隧穿结和微晶硅底电池本征层硅...
关键词：光致稳定性 非晶硅/微晶硅叠层太阳电池 硅烷浓度梯度 隧穿结 
高速沉积本征微晶硅的优化及其在太阳电池中的应用被引量：3
《物理学报》2009年第6期4254-4259,共6页韩晓艳 侯国付 魏长春 张晓丹 戴志华 李贵君 孙建 陈新亮 张德坤 薛俊明 赵颖 耿新华 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB202602,2006CB202603);国家自然科学基金(批准号:60506003);国家科技计划配套项目(批准号:07QTPTJC29500);天津市应用基础研究计划(批准号:07JCYBJC04000)资助的课题~~
采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术高速(沉积速率约为1.2nm/s)沉积了一系列不同厚度的本征微晶硅薄膜,并通过Raman谱和XRD谱的测试,研究了高速沉积时本征微晶硅薄膜的微结构演变特性及其对电池性能的影响...
关键词：高速沉积 微晶硅薄膜 微结构演变 功率梯度 
过渡区p层在高速沉积非晶硅薄膜电池中的应用
《光电子．激光》2009年第3期333-336,共4页李贵君 侯国付 韩晓艳 魏长春 孙建 戴志华 赵颖 耿新华 
国家重点基础研究发展计划"973"资助项目(2006CB202602;2006CB202603);国家自然科学基金资助项目(60506003);国家科技计划配套资助项目(07QTPTJC29500)
研究了采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术沉积从微晶相向非晶相相变的过渡区p层,并将其作为电池的窗口层应用到高速沉积的非晶硅薄膜电池中。通过调整p层的沉积参数,获得不同p层的暗电导率从1.0E-8S/cm变化到1.0E-1S/...
关键词：甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD) 过渡区p层 非晶硅 P-a-SiC:H 
高速沉积微晶硅薄膜光发射谱的研究被引量：1
《物理学报》2009年第2期1344-1347,共4页韩晓艳 耿新华 侯国付 张晓丹 李贵君 袁育杰 魏长春 孙建 张德坤 赵颖 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB202602 ;2006CB202603);国家自然科学基金(批准号:60506003);国家科技计划配套项目(批准号:07QTPTJC29500)资助的课题~~
采用PR650光谱光度计对高速沉积微晶硅薄膜的生长过程进行了在线监测研究,并对所对应的材料进行了Raman谱和红外吸收谱(FTIR)的测试.结果表明:能反映材料晶化程度的I[SiH*]/I[Hβ*]比值在沉积时间为100s之内有下降的趋势,且反应气体总流...
关键词：高速沉积 微晶硅薄膜 电子温度 
非晶硅顶电池中的n型掺杂层对非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第8期1548-1551,共4页韩晓艳 李贵君 侯国付 张晓丹 张德坤 陈新亮 魏长春 孙健 薛俊明 张建军 赵颖 耿新华 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB202602;2006CB202603);国家自然科学基金(批准号:60506003);国家科技计划配套基金(批准号:07QTPTJC29500)资助项目~~
采用超高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,逐次高速沉积非晶硅顶电池及微晶硅底电池,形成pin/pin型非晶硅/微晶硅叠层电池.通常顶电池的n层与底电池的p层均采用微晶硅材料来形成隧穿复合结,然而该叠层电池的光谱响应测试结果表...
关键词：超高频等离子增强化学气相沉积技术 非晶硅/微晶硅叠层电池 n/p隧穿结 
低速p/i界面缓冲层对高速沉积微晶硅太阳电池性能的影响被引量：2
《物理学报》2008年第8期5284-5289,共6页韩晓艳 侯国付 李贵君 张晓丹 袁育杰 张德坤 陈新亮 魏长春 孙健 耿新华 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB202602,2006CB202603);国家自然科学基金(批准号:60506003);天津市国家科技计划配套基金(批准号:07QTPTJC29500)资助的课题~~
在采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术高速沉积微晶硅(μc-Si:H)太阳电池过程中,产生的高能离子对薄膜表面的轰击作用会降低薄膜质量和破坏p型掺杂层(p层)与本征层(i层)之间的界面特性.针对该问题提出在电...
关键词：μc-Si:H太阳电池 甚高频等离子体增强化学气相沉积 p/i界面层 
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