双沟平面掩埋结构SLD的液相外延生长及漏电分析  

Analysis on Current Leakage in DCPBH-SLD Grown by LPE

作　　者：段利华[1,2] 方亮[1] 周勇[2] 周雪梅[2] 韩伟峰[2] 罗庆春[2] 黄茂[2] 

机构地区：[1]重庆大学物理学院应用物理系,重庆400044 [2]重庆光电技术研究所,重庆400060

出　　处：《半导体光电》2012年第3期342-345,共4页Semiconductor Optoelectronics

摘　　要：对液相外延生长的双沟平面掩埋异质结(DCPBH)结构超辐射发光二极管(SLD)双沟内漏电现象进行了理论分析与定量计算。在此基础上通过优化外延结构设计与液相生长参数,得到了电流限制较理想的DCPBH结构。The mechanism of current leakage in Double Channel Planar Buried Heterrostructure （DCPBH） superluminescent diode （SLD） with p-n-p-n current blocking structure is theoretical analyzed and quantitative calculated. The ideal lateral current confinement is obtained by optimizing the structure and growth conditions of LPE .

关 键 词：双沟平面掩埋异质结 液相外延 漏电流 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]