APT40GRl20B／S／B2D30：NPTlGBT  

出　　处：《世界电子元器件》2012年第7期33-33,共1页Global Electronics China

摘　　要：美高森美公司推出新一代1200V非穿通型（non。punchthrough，NPT）IGBT系列中的新产品。新的IGBT系列采用美高森美的PowerMOS8技术，总体开关和导通损耗显著降低。美高森美新的分立元件产品包括APT40GRl20B、APT40GRl20S和APT40GRl2082D30。这些器件可以单独提供，

关 键 词：B/S 非穿通型 IGBT 导通损耗 分立元件 产品 器件 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]