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机构地区:[1]四川省经济和信息化委员会新兴产业推进处,成都610015 [2]南京泰之联无线科技有限公司,南京210007
出 处:《电子与封装》2012年第7期45-48,共4页Electronics & Packaging
摘 要:CDMA基站低噪声放大电路是无线通信系统中的关键组成部分,其性能的好坏将影响整个通信系统的性能。文章重点研究CDMA2000基站低噪声放大电路,对低噪声放大电路进行了讨论分析,采用理论分析与微波电路仿真相结合的方法设计出一款基于GaAs HEMT的CDMA2000基站两级低噪声平衡放大电路,并将设计结果付诸实践。设计的两级GaAs低噪声放大器在824MHz~849MHz频率范围内实现噪声系数小于0.8dB,增益达到29dB。CDMA base stations low noise amplifier circuit is a key component in wireless communication systems, whose quality and reliability will affect the performance of the base station system. This article focuses on the CDMA2000 base stations low noise amplifier circuit, the discussion and analysis of low noise amplifier circuit use the method of combining theoretical analysis and microwave circuit simulation. We had designed a GaAs HEMT low-noise balanced amplifier circuit, and to put into practice. The two stage low noise amplifier in the 824MHz- 849MHz frequency range, the noise figure less than 0.8dB, the total gain of 29dB.
分 类 号:TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]
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