日本NIMS开发膜厚仅为目前1／2的极薄磁阻元件  

作　　者：杨晓婵(摘译) 

出　　处：《现代材料动态》2012年第8期3-4,共2页Information of Advanced Materials

摘　　要：日本物质材料研究机构（NIMS）的宝野和博等人开发出强磁性层为钴基霍伊斯勒合金的强磁性层／非磁性层（银）／强磁性层3层结构组成的磁阻元件，用作记录密度超过2TB／in^2的下一代HDD（硬盘驱动器）用极薄再生磁头。

关 键 词：日本物质材料研究机构 磁阻元件 NIMS 开发 膜厚 硬盘驱动器 磁性层 结构组成 

分 类 号：TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]