原子层沉积技术的研究进展  

Research Progress of Atomic Layer Deposition

作　　者：杨健苍[1] 方靓[1] 何伟[1] 杨成韬[1] 

机构地区：[1]电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054

出　　处：《中国材料科技与设备》2012年第3期4-6,9,共4页Chinese Materials Science Technology & Equipment

摘　　要：介绍了原子层沉积技术的基本原理，与其他的薄膜制备方法进行了优缺点比较；同时论述了它在前驱体的选择以及实验装置方面的研究进展；指出前驱体的制备和选择、低沉积速率的改进是当前原子层沉积技术研究的重点；最后展望了原子层沉积技术的发展前景。The basic theory of atomic layer deposition （ALD） technology is introduced briefly, and then the research progress of choosing precursors and ALD deposition system are discussed. Besides, the film growth conditions of ALD, including deposition rate, pressure, and substrate temperature are compared with those of the conventional techniques. Next, the consequential issues, such as precursor and development of deposition rate, are discussed. Finally, the outlook of ALD is predicted.

关 键 词：原子层沉积 前驱体 原理与应用 

分 类 号：TB43[一般工业技术]