脉冲光电子枪中光电子束性能研究  

Study on the Properties of Photoemission Electron Beam Produced by a Pulsed Photoemission Electron Gun

作　　者：花晓清[1] 张林虎[1] 白吉玲[1] 郭文生[2] 

机构地区：[1]中国科学院大连化学物理研究所分子反应动力学国家重点实验室,大连116023 [2]辽宁大学化学科学与工程学院

出　　处：《Chinese Journal of Chemical Physics》2000年第3期263-269,共7页化学物理学报（英文）

摘　　要：利用新设计的脉冲光电子枪，研究了光电子束的能量分布，光电子数密度与激光强度的关系和光电子在电离区内的滞留时间．大部分电子的能量为光发射电子的剩余能量，但是由于电子的空间电荷效应，电子能量分布具有加宽现象．每个激光脉冲发射到电离区内的光电子数密度在109／cm3以上．By using the new designed pulse photoemission gun, the energy distribution of photoemision electron beam, the relationship between the number of photoemission electrons and the intensity of laser and the duration of photoemission electrons in ionization region were studied. Most of electrons have the excess energy which laser induce photoemission electrons leave, but the energy distribution of electrons is widened by the space charge effect of electrons.For on pulse, photoemission elertron density with about 109 ~1010/cm3 in the ionization region was found.

关 键 词：光电子发射 光电子数密度 光电效应 光电子束 

分 类 号：O462.3[理学—电子物理学]