[110]晶向近本征硅单晶双光子吸收各向异性  

Anisotropy of two-photon absorption in [110]-cut nearly-intrinsic silicon crystal

作　　者：刘秀环[1] 李明利[1] 陈占国[2,3] 贾刚[2,3] 时宝[2,3] 朱景程[2,3] 牟晋博[2,3] 李一[1] 

机构地区：[1]吉林大学通信工程学院光通信系,吉林长春130012 [2]集成光电子学国家重点实验室吉林大学实验区,吉林长春130012 [3]吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春130012

出　　处：《红外与毫米波学报》2012年第4期302-305,335,共5页Journal of Infrared and Millimeter Waves

基　　金：国家自然科学基金国际(地区)合作与交流(NSFC-RFBR)项目(61111120097);国家自然科学基金(60976037;61077026);国家"863"计划(2009AA03Z419);吉林省自然科学基金(201215019)~~

摘　　要：以沿[110]晶向切割的近本征硅单晶为样品,通过研究样品对连续波固体激光器所产生的1.3μm的近红外光的双光子吸收所诱导的光电流对入射光偏振方向的依赖关系,研究了双光子吸收的各向异性.测得了硅单晶对该波长的光的三阶极化率张量χ(3)的各向异性系数为-0.25,两个独立分量的比值χxxxx/χxxyy的幅度为2.4,并基于前期工作所得的χxxyy的结果,进而确定了另一分量χxxxx的值大约为1.49×10-19m2/V2.The anisotropy of photocurrent induced by two-photon absorption in [ 110 ]-cut nearly-intrinsic crystal silicon sample is investigated. The anisotropy coefficient of third-order nonlinear susceptibility of Si at wavelength of 1. 3 μm is measured to be -0.25, and the ratio ofχxxxx toχxxyy is 2.4. The independent elementX is consequently obtained to be about 1.49 × 10^-19 m^2/V^2 based on the previously observed result Of χxxyy.

关 键 词：非线性光学 硅单晶 双光子吸收 三阶极化率 非线性各向异性 

分 类 号：O437[机械工程—光学工程] O732.1[理学—光学]