MOCVD方法制备BeH_2薄膜  

Preparation of Beryllium Hydride Films by MOCVD

作　　者：张吉强[1] 罗江山[1] 罗炳池[1] 吴卫东[1] 

机构地区：[1]中国工程物理研究院激光聚变研究中心,四川绵阳621900

出　　处：《稀有金属材料与工程》2012年第8期1483-1486,共4页Rare Metal Materials and Engineering

基　　金：等离子体物理国家级重点实验室基金(9140C6805020907)

摘　　要：采用二叔丁基铍(t-Bu2Be.Et2O)蒸气在加热的衬底上以热解的方式制备透明的BeH2薄膜。通过加热BeH2薄膜并借助氢气气相色谱仪探测到了薄膜释放的H2。X射线光电子能谱分析表明,薄膜表面层几乎完全被氧化成BeO。傅里叶变换红外光谱显示存在强烈的BeHBe键弯曲振动吸收峰。因此,二叔丁基铍在加热的基片上以分解的方式能够制备出BeH2薄膜。Transparent beryllium hydride（BeH 2） films were prepared by the pyrolysis of di-t-butylberyllium etherate（t-Bu 2 Be.Et 2 O） under low pressure using metalorganic chemical vapor deposition（MOCVD） apparatus.The films were heated to 300 ℃ for dehydrogenation,and the released H 2 was detected by gas chromatography.The XPS analysis shows that the surface layer of BeH 2 film is BeO.The IR spectrum indicates that there exists Be-H-Be bend vibration.

关 键 词：二叔丁基铍 薄膜 化学气相沉积 气相色谱 红外光谱 

分 类 号：TB383.2[一般工业技术—材料科学与工程]