不同偏压温度下非对称三势垒透射系数的模拟计算  

Simulations on Asymmetric Three-barrier Transmission Coefficients under Different Bias and Temperatures

作　　者：赵瑞娟[1,2] 安盼龙[2,3] 许丽萍 杨艳 

机构地区：[1]中北大学 电子测试技术国家重点实验室 [2]理学院 [3]仪器科学与动态测试教育部重点实验室,太原030051

出　　处：《半导体光电》2012年第4期540-543,599,共5页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：中北大学电子测试技术国家重点实验室青年基金资助项目;中北大学校青年基金资助项目

摘　　要：非对称多势垒可获得比双势垒更大的共振隧穿电流及更良好的峰谷比。通过分析单电子对任意势垒透射的理论模型,建立了任意非对称三势垒模型,研究了不同偏压和温度对透射系数的影响,并得出结论,为进一步设计非对称量子器件提供理论指导。Asymmetric multi-barrier can obtain larger resonant tunneling current and better peak-valley ratio than double barrier. By analyzing the theoretical models of single-electron transmission on any harrier, an arbitrary asymmetric three-barrier model was established. Effects of different bias and temperatures on the transmission coefficient were studied. It provides a theoretical guidance for the further design of asymmetric quantum devices.

关 键 词：偏压 温度 非对称三势垒 透射系数 量子阱 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程]