光调制直接重写磁光多层膜的制备及其性能研究  

作　　者：王可[1] 李佐宜[1] 胡作启[1] 林更琪[1] 熊锐[1] 杨晓非[1] 李震[1] 王翔[1] 易开军[1] 朱全庆[1] 胡煜[1] 

机构地区：[1]华中理工大学电子科学与技术系,武汉430074

出　　处：《信息记录材料》2000年第1期21-24,共4页Information Recording Materials

摘　　要：本文研究了光调制直接重写磁光多层膜的制备及其磁与磁光特性。成功研制了满足光调制直接重写要求的不同居里温度的磁光存储介质。

关 键 词：光调制 直接重写 磁光多层膜 制备 OM 性能 

分 类 号：TQ58[化学工程—精细化工]