Rh掺杂的Ru_2Si_3的电子结构及光学性质  

First Principle Calculation of The Electronic Structure and Optical Properties of Rh-doped Ru_2Si_3 Semiconductors

作　　者：崔冬萌[1] 贾锐[1] 谢泉[2] 赵珂杰[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029 [2]贵州大学理学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵州贵阳550025

出　　处：《发光学报》2012年第9期960-965,共6页Chinese Journal of Luminescence

基　　金：国家自然科学基金(2908YB013001;110360706023);吉林省自然科学基金(201115122)资助项目

摘　　要：采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波计算方法,结合广义梯度近似(GGA)对Ru2Si3掺Rh原子的电子结构和光学性质进行了研究,计算结果表明:掺入Rh原子使得Ru2Si3的晶胞体积有所增大,Rh替换RuⅢ位的Ru原子使得体系处于稳定态,导电类型变为n型,静态介电函数值为ε1(0)=25.201 4,折射率n0的值有所增大为5.02。The electronic structure and optical properties of impurity Rh-doped Ru2Si3 have been studied by using the first principle plane-wave pseudo-potential based on the density function theory.The calculated results show that doped Ru2Si3 make the cell volume increases.Rh-doping replacing RuⅢ position makes the system steady,and the conductivity type convert into n-type;the static dielectric function is 25.201 4,the value of the refractive index has increased to 5.02.

关 键 词：掺杂Ru2Si3 电子结构 光学性质 第一性原理 

分 类 号：O471.5[理学—半导体物理] O481.1[理学—物理]