检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]东南大学MEMS教育部重点实验室,南京210096
出 处:《传感技术学报》2012年第7期891-896,共6页Chinese Journal of Sensors and Actuators
基 金:National Natural Science Foundation of China(61106114)
摘 要:本文对典型的MEMS结构在运动过程中产生和辐射电磁波的机理以及产生的效应进行了研究。基于对MEMS结构的机械、电与电磁的耦合机制的研究,分析了MEMS结构运动过程中产生电磁波的机理。MEMS结构的相对运动以及基板上所携带电荷的运动都可以产生电磁波。在距离电磁波源1 cm处,MEMS结构辐射出的电磁波的频率为100 kHz;当MEMS结构间距为1.5μm,辐射出的电磁波的电场强度为0.45 V/m。产生的电磁波的频率与幅度受到距离,结构运动的频率以及具体形状的影响。本文还考虑了辐射出的电磁波对同一个芯片上其他器件的影响。Moving structures of MEMS devices can generate and radiate E-M wave.Based on the coupling physics between mechanical,electrical and E-M energy domain,the principles to produce E-M wave have been analyzed,the movement between two MEMS electrostatic structures and the moving charges on the motional MEMS structure.With the distance away from the E-M source is 1cm,the frequency is 100kHz and the gap between the MEMS structure is 1.5μm,the intensity of E-field is 0.45V/m.The E-M wave is influenced by the distance,frequency and the structure of the moving MEMS devices.The influence of the E-M wave to other devices within a chip is also considered.
分 类 号:TN43[电子电信—微电子学与固体电子学]
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在链接到云南高校图书馆文献保障联盟下载...
云南高校图书馆联盟文献共享服务平台 版权所有©
您的IP:216.73.216.31