Ku波段电调衰减器模块研究  

Research on the Ku-Band Attenuator

作　　者：顾晓春[1] 王康金[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所

出　　处：《半导体技术》2000年第4期25-27,共3页Semiconductor Technology

摘　　要：采用混合集成电路的方法，用并联PIN二极管芯片在很小的腔体内制作广Ku波段吸收式电调衰减器。动态范围大于20dB，电压驻波比小于1．4，插入损耗小于0．85dB，相应变化（插入态／衰减态）小于等于2．7°，传输时间小于100ns，线性度优于10％．驱动电流DC5mA、模块体积9mm（L）×7．6mm（W）×4mm（H）。Ku-band absorptive attenuators have been designed and fabricated with hybrid integrated circuit and shunt-mounted PIN diode chips in very small size. The dynamic range>20dB, and VSWR<1 .4, the insertion loss<0.85dB,the phase transition(insertion state/attenuation state)≤2.7°,the transition time < 100ns, the linearity<1 0%, the driver current is DC5mA, the mechanical size is 9mm(L) ×7 .6mm(M)×4mm(H).

关 键 词：电调衰减器 KU波段 PIN二极管 混合集成电路 

分 类 号：TN715[电子电信—电路与系统]