InP基近红外波段量子线激光器的温度特性研究  被引量:1

Investigation of the temperature sensitivity of the long-wavelength InP-based laser

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作  者:杨新荣[1] 徐波 赵国晴[1] 申晓志[1] 史淑惠[1] 李洁[1] 王占国[2] 

机构地区:[1]邯郸学院物理与电气工程系,河北056005 [2]中国科学院半导体研究所、半导体材料重点实验室,北京100083

出  处:《物理学报》2012年第21期365-368,共4页Acta Physica Sinica

基  金:国家自然科学基金(批准号:60990315);国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604904);河北省科学技术研究与发展指导项目(批准号:Z2010112);河北省科技支撑计划项目(批准号:10213936)资助的课题~~

摘  要:制备了InP基近红外波段量子线激光器,在激光器温度特性分析中,观察到了反常的特征温度分布曲线.随着热沉温度增加,在120—180 K时,激光器阈值电流随温度升高出现下降趋势,即出现了负的特征温度.分析认为负特征温度的出现是由于随温度变化载流子再分布引起的.The long-wavelength laser on InP (001) is fabricated, the temperature dependence of threshold current density is investigated. The nomalous decrescence of threshold current density is observed with the increase of temperature, which leads to a negative characteristic temperature. The origin of this phenomenon is discussed. We attribute the anomalous temperature dependence of threshold current density to the carrier redistribution effect.

关 键 词:量子线 激光器 特征温度 

分 类 号:TN248[电子电信—物理电子学]

 

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