云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 杨新荣

杨新荣: 作品数：10被引量：2H指数：1; 导出分析报告; 供职机构：邯郸学院更多>>; 发文主题：INP基INAS量子线激光器超晶格更多>>; 发文领域：理学电子电信一般工业技术环境科学与工程更多>>; 发文期刊：《低温物理学报》《物理学报》《西南大学学报（自然科学版）》《Journal of Semiconductors》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划河北省科技支撑计划项目河北省科学技术研究与发展计划项目更多>>

膜厚对泡沫镍负载TiO_2纳米薄膜附着度和光电响应的影响: 《半导体光电》2018年第5期682-685,689,共5页王雅琨刘明生李燕杨新荣; 国家"863"计划项目(2013AA014203); 采用溶胶-凝胶法与高温水热法相结合的复合方法制备了以泡沫镍为基底的不同膜层厚度的TiO_2纳米薄膜光电极,并用场发射扫描电子显微镜(SEM)与电化学工作站对样品进行了表面形貌表征与光电性能测试。结果表明,膜层厚度为10层的TiO_2纳米...; 关键词：泡沫镍 TIO2 膜层厚度附着度光电响应

低能氩等离子处理介电层表面对ZnO薄膜晶体管性能影响（英文）: 《低温物理学报》2017年第6期31-38,共8页王海飞杨新荣周晓静梁凌燕张继伟; Supported by the Hebei province science and technology research and development project of China(Z2010112);Hebei province science and technology support program of China(10213936,10213938)~~; 采用磁控溅射室温工艺制备了底栅结构ZnO基薄膜晶体管,其介电层表面采用低能Ar等离子体处理.结构表明等离子处理提高了器件的电学性能,即阈值下降36%,亚阈值斜率减少47%,开启电压从-15V变为0V.但是,经等离子处理的器件表现出源漏电流-...; 关键词：氧化锌薄膜晶体管低能亚等离子体电学特性

InP基InAs量子线异常的变温光致发光谱研究被引量：1: 《低温物理学报》2017年第3期31-34,共4页杨新荣王海飞赵晶周晓静徐波王占国; 国家自然科学基金项目(批准号:60990315);国家重点基础研究发展规划项目(批准号:2006CB604904);邯郸市科学技术研究与发展计划项目(批准号:1621202043-1)资助的课题; 制备了InAs/InAlGaAs/InP(001)量子线结构,利用变温光致发光谱(PL)研究了InAs量子线的光学特性.随温度增加InAs量子线PL谱的发光峰位呈异常的S型变化,即:在15K^35K时峰位红移;在35K^55K温度范围内峰位发生了蓝移;随后随温度进一步增加,...; 关键词：量子线光致发光谱 S型峰位变化

As压调制的InAlAs超晶格对InAs纳米结构光学特性的影响: 《西南大学学报（自然科学版）》2017年第3期115-119,共5页谷云高杨新荣周晓静徐波王俊忠; 国家自然科学基金(60990315);国家重点基础研究发展规划项目(2006CB604904);河北省科学技术研究与发展指导项目(Z2010112);河北省科技支撑计划项目(10213936;10213938);邯郸学院博士科研启动经费项目(2009002); 利用固源分子束外延(MBE)设备生长出InAs/InAlAs/InP(001)纳米结构材料,探讨了As压调制的InAlAs超晶格对InAs纳米结构光学特性的影响.结果表明,As压调制的InAlAs超晶格能有效地调整InAs纳米结构的形貌特性、发光峰位,改善发光线宽,提高...; 关键词：InAlAs超晶格 InAs纳米结构光学特性

As压调制的InAlAs超晶格对InAs纳米结构形貌的影响: 《物理学报》2015年第6期373-377,共5页杨新荣周晓静王海飞郝美兰谷云高赵尚武徐波王占国; 国家自然科学基金(批准号:60990315);河北省科学技术研究与发展指导(批准号:Z2010112);河北省科技支撑计划(批准号:10213936;10213938);河北省自然科学基金(批准号:E2012109001);邯郸市科学技术研究与发展计划(批准号:1121120069-5;1121103183);河北省邯郸学院博士科研启动经费项目(批准号:2009002;2010005;2010007)资助的课题~~; 利用固源分子束外延设备生长出InAs/InAlAs/In P(001)纳米结构材料,探讨了As压调制的InAlAs超晶格对InAs纳米结构形貌的影响.结果表明,As压调制的InAlAs超晶格能控制InAs量子线的形成,导致高密度均匀分布的量子点的生长.结果有利于进一...; 关键词：InAlAs超晶格 InAs纳米结构形貌 As压调制

电流环支承的超导球表面磁场计算: 《低温物理学报》2015年第1期70-72,共3页王海飞杨新荣赵尚武王秋良; 河北省自然科学基金(批准号:E2012109001);河北省科技支撑计划(批准号:10213938;10213936)资助课题~~; 本文基于磁荷模型采用解析方法推证出电流环在超导球表面产生的磁场分布.首先不考虑超导球的抗磁性,由Biot-Savart定律计算出电流环在球面产生的磁场.再根据Meissner态超导体的边界条件,并基于磁荷模型计算出超导球的感应磁场.将电流环...; 关键词：电流环超导球磁荷磁场计算

在交变外磁场作用下处于迈斯纳态的超导体内的电磁场和能量变化（英文）: 《低温物理学报》2015年第1期65-69,共5页赵尚武王海飞杨新荣王秋良; Project supported by the Provincial Natural Science Foundation of Hebei(Grant No.E2012109001);the Provincial Science & Technology Pillar Program of Hebei(Grant Nos.10213938,10213936)~~; 本文以一个无限大的超导平板为例,分析它在正弦外磁场作用下处于Meissner态时的电磁场以及能量变化的特征,计算结果表明在准静态外磁场作用下超导体内的磁场、电场以及感应电流都随着透入表面的深度迅速衰减而没有滞后现象.根据超导电...; 关键词：伦敦方程电磁特征能量损耗迈斯纳态

InP基近红外波段量子线激光器的温度特性研究被引量：1: 《物理学报》2012年第21期365-368,共4页杨新荣徐波赵国晴申晓志史淑惠李洁王占国; 国家自然科学基金(批准号:60990315);国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604904);河北省科学技术研究与发展指导项目(批准号:Z2010112);河北省科技支撑计划项目(批准号:10213936)资助的课题~~; 制备了InP基近红外波段量子线激光器,在激光器温度特性分析中,观察到了反常的特征温度分布曲线.随着热沉温度增加,在120—180 K时,激光器阈值电流随温度升高出现下降趋势,即出现了负的特征温度.分析认为负特征温度的出现是由于随温度变...; 关键词：量子线激光器特征温度

应变补偿和生长停顿对InAs/InAlGaAs/InP纳米结构形貌的影响: 《中国科学：物理学、力学、天文学》2012年第3期237-241,共5页杨新荣徐波赵国晴周晓静王占国; 国家自然科学基金(批准号:60990315);国家重点基础研究发展规划(编号:2006CB604904)资助项目; 利用固源分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)设备生长出InAs/InAlGaAs/InP(001)纳米结构材料,探讨了应变补偿技术和生长停顿对InAs纳米结构形貌的影响.应变补偿技术的引入导致量子点和量子线混合结构的形成,有望成为超宽带半导体...; 关键词：量子线量子点应变补偿生长停顿

InP基近红外波段量子线激光器的电致发光谱: 《Journal of Semiconductors》2007年第z1期457-459,共3页杨新荣徐波王占国任芸芸焦玉恒梁凌燕汤晨光; 国家自然科学基金(批准号:60390071,60390074,90301007,60306010,60476002,60576062)和国家基础项目研究特别基金(批准号:G2000068303,2002C1331190)资助项目; 制备了InP基近红外波段量子线激光器,在改变注入条件的室温连续电致发光谱测试中,观察到了不同于带填充效应的谱型变化.低激励时,高能峰先出现;随激励电流增加,高能峰减弱并随后消失,同时低能峰出现并激射.认为激光器随注入电流的增加...; 关键词：InAs量子线 INP基激光器激射谱

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