InP基近红外波段量子线激光器的电致发光谱  

Electroluminescence Spectra of the Near-Infrared InP-Based Quantum-Wire Lasers

作　　者：杨新荣[1] 徐波 王占国[1] 任芸芸[1] 焦玉恒[1] 梁凌燕[1] 汤晨光[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期457-459,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60390071,60390074,90301007,60306010,60476002,60576062)和国家基础项目研究特别基金(批准号:G2000068303,2002C1331190)资助项目

摘　　要：制备了InP基近红外波段量子线激光器,在改变注入条件的室温连续电致发光谱测试中,观察到了不同于带填充效应的谱型变化.低激励时,高能峰先出现;随激励电流增加,高能峰减弱并随后消失,同时低能峰出现并激射.认为激光器随注入电流的增加表现出的这种特殊的激射谱,是由自组织纳米结构尺寸的不均匀分布引起的.

关 键 词：InAs量子线 INP基 激光器 激射谱 

分 类 号：TN365[电子电信—物理电子学]