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机构地区:[1]西安交通大学电信学院物理电子与光电子系,陕西西安710049
出 处:《高分子材料科学与工程》2000年第4期111-113,共3页Polymer Materials Science & Engineering
基 金:国家自然科学基金资助项目!( 19775 0 3 9)
摘 要:采用离子注入掺杂技术 ,研究了聚对苯 (PPP)薄膜的离子束效应。当 2 0~ 70 ke V的 Ar+和 N+注入后 ,聚对苯薄膜的电导率随着剂量的增加而迅速增加。当剂量为 1× 10 1 7ions/cm2时 ,电阻率下降 7个数量级。FT- IR光谱图显示了 Ar+注入使聚对苯分子链部分 C- C和 C- H的 σ键断裂 ,从而改善了它的导电性能。通过超高阻测试仪研究了聚对苯薄膜表面电导率与温度的关系 ,从高分子自由体积理论的角度对离子注入聚对苯薄膜离子注入导电机理进行了研究。Ion beam effects on poly(paraphenylene)(PPP) film under the ion implantation with potassium ions(K +) and argon ions(Ar +) have been investigated through the FT IR and the temperature dependence of the surface resistivity. The energy of K + ions and Ar + ions is from 20 keV to 70 keV, while the dose ranged from 1×10 15 ~1×10 17 ions/cm 2. Results show that the surface resistivity of the PPP film drops when energy and doses increase. The surface resistivity of PPP film drops by 7 order of magnitude when dose is about 1×10 17 ions/cm 2. FT IR spectra demonstrates that the implanted ions make some C-C and C-H σ bonds scission, so the function of conductance is improved. The relation of temperature dependence of surface resistivity is studied by the instrumentation of superhigh resistivity. On the aspect of free volume theroy, the mechanism of ion implantatin of PPP film is studied.
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