质子轰击GaP外部电光采样  

Proton-Bombarded GaP External Electro\|Optic Sampling\+*

作　　者：张大明[1] 田小建[1] 孙伟[1] 李德辉[1] 衣茂斌[1] 

机构地区：[1]集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区,长春130023

出　　处：《Journal of Semiconductors》2000年第9期918-921,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金!( No.698760 1 4 );国家教委博士点基金!( No.970 1 83 1 1 )&&

摘　　要：采用质子轰击 n- Ga P晶体作为外部电光采样材料 ,用倍频移相扫描电光采样技术和反射式光路结构 ,对 ITO共面波导上的微波信号进行了测量 .结果表明 ,用质子轰击的方法可以使n- Ga P样品的电阻增大四个量级 ,接近于半绝缘材料 ,能有效地减小 Ga P晶体内部自由电荷对电场的屏蔽效应 .在 2 .30 GHz微波信号时 ,质子轰击 Ga P外部电光采样测量获得了 40 m V/Hz的电压灵敏度 .Microwave signals propagating on the indium\|tin oxide coplanar wavegui de were measured by proton\|bombarded GaP external electro\|optic sampling with mu ltiple\|frequency phase\|shift scanning system. Measurements of proton\|bombard ed G aP sample indicate that the resistance value is four orders greater than that of the un\|bombarded. The system is of 40mV/Hz sensitivity as the micro wave frequency is 2.30GHz.

关 键 词：电光采样 质子轰击 磷化镓 

分 类 号：TN407[电子电信—微电子学与固体电子学]